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惠普憶阻器技術(shù)或?qū)⑷〈W存和DRAM

時(shí)間:2011年5月17日

  據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,惠普研發(fā)人員已經(jīng)在“憶阻器”下一代內(nèi)存技術(shù)方面取得了小的突破,一些人認(rèn)為它可能會(huì)替代當(dāng)今普遍應(yīng)用的閃存和DRAM技術(shù)。

  惠普研發(fā)人員在周一《納米技術(shù)》雜志中提到,他們已經(jīng)掌握了電氣操作過(guò)程中“憶阻器”內(nèi)部發(fā)生變化時(shí)的基本化學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。

  惠普高級(jí)研究員Stan Williams說(shuō),在此前,盡管工作的憶阻器已在實(shí)驗(yàn)室制成,但是研發(fā)人員并不清楚在微小結(jié)構(gòu)內(nèi)部發(fā)生了什么。當(dāng)惠普有信心可以將此項(xiàng)技術(shù)商業(yè)化時(shí),這一發(fā)現(xiàn)將極大地提高計(jì)算機(jī)和內(nèi)存的性能。

  憶阻器最先是由加州大學(xué)一個(gè)教授提出來(lái)的。在此之前,研究人員只知道3個(gè)基本電路原件--電阻器,電容器和電感器。幾十年后,惠普的研發(fā)人員證明了憶阻器是真實(shí)存在的,并進(jìn)一步證明其可以在2個(gè)或2個(gè)以上電阻之間來(lái)回切換,這將使得在數(shù)字運(yùn)算時(shí),他們可以代表1或0.有憶阻器的內(nèi)存類(lèi)型叫做ReRAM,具有非易失性的特點(diǎn)。這意味著在電源關(guān)閉后設(shè)備可以保存這些數(shù)據(jù)。但對(duì)比DRAM,電源關(guān)閉后,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)丟失。本文由服務(wù)器租用——海騰數(shù)據(jù)(http://www.0941wang.com)提供。

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